聞泰新聞

                    聞泰科技氮化鎵、碳化硅產品閃耀進博會

                    2021-11-06

                    11月6日,進博會進入第二天,聞泰科技安世半導體展位大批氮化鎵和碳化硅產品成為觀眾關注的焦點。




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                    汽車電子是Nexperia(安世半導體)的重點服務領域。每一款新車都使用了約270款不同應用領域的 Nexperia(安世半導體)產品,比如汽車和電動汽車動力系統、汽車直流電機控制和車載充電器等。面對國內快速發展的電動車市場,作為高效功率氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的可靠供應商--Nexperia(安世半導體)在第四屆中國國際進口博覽會期間展出大量氮化鎵和碳化硅產品,包括采用安世35千瓦氮化鎵(GaN)功率組件的新能源汽車電機控制器、50千瓦動力系統逆變器、3千瓦氮化鎵(GaN)DCDC車載充電器、4千瓦氮化鎵(GaN)無橋圖騰柱PFC、首款工業級 650V/10A碳化硅(SiC)肖特基二極管等。



                    采用安世35千瓦氮化鎵(GaN)功率組件新能源汽車電機控制器


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                    采用安世35千瓦氮化鎵(GaN)功率組件的新能源汽車電機控制器由上海汽車電驅動有限公司和安世半導體(中國)有限公司聯合研制,是中國首款滿足量產級的新能源汽車氮化鎵(GaN)電機控制器。該控制器峰值效率達到99.34%,最大輸出功率35kW,超高功率密度,NVH性能優良,覆蓋AO/A級/小型SUV EV功率范圍。

                    安世高功率氮化鎵場效應晶體管型號GAN039-650NTBA,符合車規級認證的CCPAK1212i,頂部散熱貼片封裝,高可靠性的級聯結構氮化鎵技術,可提高抗干擾能力,無需設計負電壓驅動。


                    50千瓦動力系統逆變器


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                    50千瓦動力系統逆變器是基于安世半導體氮化鎵技術的電動汽車逆變器,輸入電壓為355V-450V,最大輸出功率為50千瓦,SVPWM調制方式,高達30kHZ的工作頻率,實現>98%的效率。

                    安世高功率氮化鎵場效應晶體管采用H2 GaN041晶圓裸片,使動力系統以更低的成本達到更高的效率(﹥98%),優化熱性能、簡化開關拓撲;顯著提高開關速度和轉換效率;提供動力系統電氣化所需的功率密度;縮小逆變器的封裝尺寸并減輕重量;同樣的電池容量可實現更遠行駛里程。


                    3千瓦氮化鎵(GaN)DCDC車載充電器


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                    3千瓦氮化鎵(GaN)DCDC車載充電器,采用安世半導體氮化鎵(GaN)場效應管方案,輸入電壓范圍250V~500V,效率高達95%。安世高效產品及優勢:TO-247封裝氮化鎵場效應管, 型號GAN063-650WSA、GANO41-650WSA;減少功率器件數量,降低系統成本,提高整個系統的可靠性,提供高端電源所需的高效率和高功率密度。


                    4千瓦氮化鎵(GaN)無橋圖騰柱PFC


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                    4千瓦氮化鎵(GaN)無橋圖騰柱PFC,應用于新能源汽車車載充電器,NXTTP4000W066為4KW的無橋圖騰柱PFC轉換器,輸入電壓范圍為85VAC-265VAC,47Hz-63Hz;工作頻率為66kHz、120KHz或者更高,輸出電壓387 VDC+5 VDC。

                     安世高效產品及優勢:型號GAN041-650WSB,T0-247封裝;減少50%的功率器件數量,可以降低系統成本,同時提高整個系統的  可靠性;高達99%的系統效率助力鈦金牌電源;減少對昂貴冷卻系統的需求及在密閉環境中的相關操作成本。


                    首款工業級 650V/10A碳化硅(SiC)肖特基二極管



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                    Nexperia(安世半導體)推出適合超高性能、低損耗和高效功率轉換應用的領先碳化硅(SiC)肖特基二極管。該產品具有不受溫度影響的電容關閉和零恢復開關特性,以及出色的品質因數Qc×Vf,合并PN肖特基二極管提高了穩健性,可耐受高IFsw。Nexperia(安世半導體)計劃持續擴充SiC二極管產品組合,預計推出總共72款在650V和1200V電壓、6-20A電流范圍下工作的工業級部件和車規級部件。


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                    作為汽車電子主流供應商,Nexperia(安世半導體)將運用氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)和IGBT等新技術,推進中國車規級半導體發展,讓世界變得更美好。

                    此前,Nexperia(安世半導體)通過收購、投資等舉措大幅擴充產能,且全球的研究和開發活動也得到了顯著擴展。聞泰科技董事長兼首席執行官、安世半導體董事長兼首席執行官張學政表示:安世半導體研發和產能投資舉措將支持我們實現宏偉的戰略增長目標,豐富核心產品組合,并顯著提高在汽車電子市場的份額。安世半導體致力于為中國汽車半導體保駕護航,與客戶共創美好的未來。